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EVG810 LT 低温等离子活化系统

EVG810 LT 低温等离子活化系统

       应用:用于SOI,MEMS,化合物半导体和高级衬底键合的低温等离子体活化系统

一、简介

       EVG810 LT (LowTemp™)低温等离子活化系统是一个独立单腔室系统,具有手动操作功能。 处理室允许非原位处理(晶片一个接一个地激 活并且键合在等离子体活化室外部)。

二、特征

      用于低温键合的表面等离子体活化(熔合/分子和中间层键合)

      任何晶圆键合机制的zui快动力学

      无需湿法工艺

      低温退火时的zui高键合强度(zui高400°C)

      适用于SOI,MEMS,化合物半导体和先进封装

      高度的材料兼容性(包括CMOS)

三、参数

       1.晶圆尺寸:50-200mm,100-300mm

       2.低温等离子活化腔:

        工艺气体:2种标准工艺气体(N2和O2)

        通用大流量控制器:自校准(高达20.000 sccm)

        真空系统:0.09 mbar

        打开/关闭腔室:自动化

        装载/卸载腔室:手动(晶圆/基板放置在装载销上)

       3.备选功能:

        用于不同的晶圆尺寸的夹头

        金属离子激 活

        带有气体混合的附加工艺气体

        带涡轮泵的高真空系统:0.009 mbar的基础气压

       4.符合LowTemp™等离子活化键合的材料系统

        Si:Si / Si,Si / Si(热氧化,Si(热氧化)/ Si(热氧化)

        TEOS / TEOS(热氧化)

        绝缘体锗(GeOI)的Si / Ge

        硅/Si3N4

        玻璃(无碱浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃

        化合物半导体:GaAs,GaP,InP

        聚合物:PMMA,环烯烃聚合物

        用户可以针对上述内容和其他材料使用“zui佳已知方法”配方(可根据要求提供完整列表)


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