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Thetametrisis膜厚仪FR-Mic 微米级薄膜表征

Thetametrisis膜厚仪FR-Mic 微米级薄膜表征

       膜厚仪FR-Mic是一款快 速、准确测量薄膜表征应用的模块化解决方案,要求的光斑尺寸小到几个微米,如微图案表面,粗糙表面及许多其他表面。它可以配备一台专用计算机控 制的XY工作台,使其快 速、方便和准确地描绘样品的厚度和光学特性图。品牌属于Thetametrisis。

Thetametrisis膜厚仪

       Thetametrisis利用 FR-Mic,通过紫外/ 可见/ 近红外可轻易对局部区域薄膜厚度,厚度映射,光学常数,反射率,折射率及消光系数进行测量。

【相关应用】

  • 高校 & 研究所实验室
  • 半导体制造
  • (氧化物/氮化物, 硅膜, 光刻胶及其他半导体薄膜.)
  • MEMS 器件 (光刻胶, 硅膜等.)
  • LEDs, VCSELs
  • 数据存储
  • 阳极处理
  • 曲面基底的硬镀及软镀
  • 聚合物膜层, 粘合剂.
  • 生 物医学(聚对二甲苯, 生 物膜/气泡壁厚度.)
  • 还有许多…

【特点】

  • 实时光谱测量
  • 薄膜厚度,光学特性,非均匀性测量, 厚度映射
  • 使用集成的,USB连接高品质彩色摄像机进行成像

Thetametrisis膜厚仪FR-Mic软件界面.jpg

【产品优势】

  • 单击即可分析 (无需初始预测)
  • 动态测量
  • 包含光学参数 (n & k, color)
  • 可保存测量演示视频录像
  • 超过 600 种不同材料o 多个离线分析配套装置o 免费操作软件升级

【技术参数】

型号

UV/VIS

UV/NIR-EXT

UV/NIR-HR

DUV/NIR

VIS/NIR

DVIS/NIR

NIR

光谱波长范围(nm)

200–850

200–1020

200-1100

200–1700

370–1020

370–1700

900–1700

光谱仪像素

3648

3648

3648

3648&512

3648

3648&512

512

膜厚测量范围

5X-VIS/NIR

15nm–60μm

15nm–70μm

15nm–90μm

15nm–150μm

15nm–90μm

15nm–150μm

100nm–150μm

10X-VIS/NIR

10X-UV/NIR*

4nm–50μm

4nm–60μm

4nm–80μm

4nm–130μm

15nm–80μm

15nm–130μm

100nm–130μm

15X-UV/NIR*

4nm–40μm

4nm–50μm

4nm–50μm

4nm–120μm

20X-VIS/NIR

20X-UV/NIR*

4nm–25μm

4nm–30μm

4nm–30μm

4nm–50μm

15nm–30μm

15nm–50μm

100nm–50μm

40X-UV/NIR*

4nm–4μm

4nm–4μm

4nm–5μm

4nm–6μm

50X-VIS/NIR

15nm–5μm

15nm–5μm

100nm–5μm

测量n&k蕞小厚度

50nm

50nm

50nm

50nm

100nm

100nm

500nm

光源

氘灯&卤素灯(internal)

卤素灯(internal)

材料数据库

>600不同材料

*测量面积(收集反射或透射信号的面积)与显微镜物镜和 FR-uProbe 的孔径大小有关。

物镜

光斑尺寸(μm)

500μm孔径

250μm孔径

100μm孔径

5x

100μm

50μm

20μm

10x

50μm

25μm

10μm

20x

25μm

17μm

5μm

50x

10μm

5μm

2μm

【工作原理】


Thetametrisis膜厚仪FR-Mic工作原理.jpg


       *规格如有更改,恕不另行通知, 测量结果与校准的光谱椭偏仪和 XRD 相比较, 连续 15 天测量的标准方差平均值。样品:1um SiO2 on Si., 100 次厚度测量的标准方差,样品:1um SiO2 on Si.

       *超过 15 天的标准偏差日平均值样品:1um SiO2 on Si。

       以上资料来自Thetametrisis,如果有需要更加详细的信息,请联系我们获取。