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EVG850 LT-低温晶圆键合机自动化生产系统

EVG850 LT-低温晶圆键合机自动化生产系统

1. 应用

       自动化生产键合系统,适用于多种熔融/分子晶圆键合应用。

2. 简介

       晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成和高级封装的一项关键技术。借助用于机械对准SOIEVG850LT自动化生产键合系统以及具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合,融合了熔合的所有基本步骤-从清洁,等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此,经过实践检验的行业标准EVG850LT确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量,高产量生产工艺。

3. EVG850 LT晶圆键合机特征

1)       利用EVGLowTemp™等离子激 活技术进行SOI和直接晶圆键合

2)       适用于各种融合/分子晶圆键合应用

3)       生产系统可在高通量,高产量环境中运行

4)       盒到盒的自动操作(错误加载,SMIFFOUP

5)       无污染的背面处理

6)       超音速和/或刷子清洁

7)       机械键合或平面对准的预键合

8)       先进的远程诊断

4. 技术数据

1)       晶圆直径(基板尺寸)

A.       100-200150-300毫米

B.       全自动盒带到盒带操作

2)       预键合腔

A.       对准类型:平面到平面或凹口到凹口

B.       对准精度:XY±50µmθ±0.1°

C.       结合力:高达5N

D.       键合压力起始位置:从晶圆边缘到中心灵活变化

E.        真空系统:9x10-2mbar(标准)和9x10-3mbar(涡轮泵选件)

3)       LowTemp™等离子激 活模块

A.       2种标准工艺气体:N2O2以及2种其他工艺气体:高纯度气体(99.999%),稀有气体(ArHeNe等)和形成气体(N2Ar含量蕞高为4%的气体)2

B.       通用质量流量控制器:可自校准多达4种工艺气体,可进行配方编程,流速高达20.000sccm

C.       真空系统:9x10-2mbar(标准)和9x10-3mbar(涡轮泵选件),高频RF发生器和匹配单元

4)       清洁站

A.       清洁方法:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选)

B.       腔室:由PPPFA制成

C.       清洁介质:去离子水(标准),NH4OHH2O2(蕞大)。2%浓度(可选)

D.       旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件)由不含金属离子的清洁材料制成

E.        旋转:蕞高3000rpm5s

F.        清洁臂:蕞多5条介质线(1个超音速系统使用2条线)

5)       备选功能

A.       ISO3迷你环境(根据ISO14644

B.       LowTemp™等离子活化腔室

C.       红外检查站